收藏本站
型号 IRFBF30
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
IRFBF30 PDF
代理商 IRFBF30
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.7 欧姆 @ 2.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFBF30
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IRFBF30L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
IRFBF30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
IRFBF30S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFBF30SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFBF30STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFBF30STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFBG20 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
IRFBG20L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
IRFBG20PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
IRFBG30 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
IRFBG30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
IRFD010 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
IRFD010PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
IRFD014 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
IRFD014PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
IRFD020PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
IRFD024 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
IRFD024PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
IRFD110 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
IRFD110PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP